Daftar Isi
Pendahuluan
Transistor adalah salah satu komponen penting dalam dunia elektronika. Ada banyak jenis transistor yang tersedia, termasuk Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Field Effect Transistor (FET). Dalam artikel ini, kita akan membahas perbedaan antara BJT dan FET.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, yaitu lapisan P-N-P atau N-P-N. BJT memiliki tiga terminal yang disebut emitter (emitor), base (basis), dan collector (kolektor).
BJT bekerja dengan mengendalikan arus yang mengalir melalui dua junction (persimpangan) P-N di dalam transistor. Ada dua mode operasi utama BJT, yaitu mode penguat dan mode saklar.
FET (Field Effect Transistor)
FET adalah jenis transistor yang terdiri dari semikonduktor tipe P atau tipe N. FET memiliki tiga terminal yang disebut source (sumber), gate (gerbang), dan drain (air). Ada tiga jenis FET yang umum digunakan, yaitu Junction FET (JFET), Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET), dan Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT).
FET bekerja dengan mengendalikan medan listrik yang terbentuk di sekitar junction P-N. FET memiliki impedansi input yang tinggi dan daya yang rendah, sehingga lebih cocok digunakan dalam aplikasi penguat sinyal.
Perbedaan Utama
Ada beberapa perbedaan utama antara BJT dan FET, yaitu:
1. Struktur
BJT terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yang saling berhubungan, sedangkan FET terdiri dari semikonduktor tipe P atau tipe N.
2. Terminal
BJT memiliki tiga terminal: emitter, base, dan collector. Sedangkan FET memiliki tiga terminal: source, gate, dan drain.
3. Mode Operasi
BJT dapat bekerja dalam mode penguat atau saklar, sedangkan FET umumnya digunakan dalam mode penguat.
4. Impedansi Input
BJT memiliki impedansi input yang rendah, sedangkan FET memiliki impedansi input yang tinggi.
5. Arus Basis/Gerbang
Pada BJT, arus basis mengendalikan arus kolektor. Sedangkan pada FET, tegangan gerbang mengendalikan arus drain.
6. Konduktivitas
BJT memiliki konduktivitas yang lebih tinggi daripada FET.
7. Daya
BJT memiliki daya yang lebih tinggi daripada FET.
Kesimpulan
Dalam artikel ini, kita telah membahas perbedaan antara Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Field Effect Transistor (FET). BJT terdiri dari tiga lapisan semikonduktor dan memiliki impedansi input yang rendah, sedangkan FET terdiri dari semikonduktor tipe P atau tipe N dan memiliki impedansi input yang tinggi. BJT dapat bekerja dalam mode penguat atau saklar, sedangkan FET biasanya digunakan dalam mode penguat. Memahami perbedaan ini akan membantu kita memilih jenis transistor yang tepat untuk aplikasi elektronik kita.
