Daftar Isi
Pendahuluan
Transistor merupakan salah satu komponen penting dalam dunia elektronika. Ada dua jenis transistor yang paling umum digunakan, yaitu Field Effect Transistor (FET) dan Bipolar Junction Transistor (BJT). Meskipun keduanya berfungsi sebagai penguat sinyal, mereka memiliki perbedaan dalam struktur, karakteristik, dan penggunaan. Artikel ini akan menjelaskan perbedaan antara transistor FET dan BJT.
Struktur
FET memiliki tiga terminal yaitu gate (G), drain (D), dan source (S). Struktur FET terdiri dari semikonduktor tipe N dan P yang saling berhubungan. Di antara kedua jenis FET, terdapat perbedaan dalam tipe semikonduktor yang digunakan. Ada Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET) yang menggunakan lapisan oksida dan Junction Field Effect Transistor (JFET) yang menggunakan lapisan junction.
Sementara itu, BJT memiliki tiga terminal juga yaitu emitter (E), base (B), dan collector (C). BJT terdiri dari dua semikonduktor tipe N dan P yang saling berhubungan dalam dua junction yaitu base-emitter junction (BE) dan base-collector junction (BC).
Karakteristik
Salah satu perbedaan utama antara FET dan BJT adalah pada karakteristik input-output. FET memiliki impedansi input yang sangat tinggi, sehingga hampir tidak ada arus yang mengalir ke gate. Hal ini membuat FET lebih cocok digunakan sebagai penguat tegangan. Di sisi lain, BJT memiliki impedansi input yang lebih rendah, sehingga arus yang mengalir ke base lebih besar dibandingkan dengan FET. Karakteristik ini membuat BJT lebih cocok digunakan sebagai penguat arus.
Perbedaan karakteristik lainnya terletak pada tegangan pintu ambang (threshold voltage) yang diperlukan untuk mengontrol aliran arus. Pada FET, tegangan pintu ambang biasanya lebih tinggi dibandingkan dengan BJT. Selain itu, FET memiliki kebocoran arus (leakage current) yang sangat kecil dibandingkan dengan BJT.
Penggunaan
FET umumnya digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan impedansi input yang tinggi, seperti dalam rangkaian preamplifier audio, pemrosesan sinyal, dan pemancar radio frekuensi tinggi. FET juga digunakan dalam desain sirkuit terintegrasi (IC).
BJT umumnya digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan penguat arus, seperti dalam rangkaian daya, audio amplifier, dan switch. BJT juga sering digunakan dalam desain sirkuit logika digital dan IC.
Kesimpulan
Dalam artikel ini, kita telah melihat perbedaan antara transistor FET dan BJT dalam hal struktur, karakteristik, dan penggunaan. FET memiliki impedansi input yang tinggi, tegangan pintu ambang yang lebih tinggi, dan kebocoran arus yang sangat kecil. BJT memiliki impedansi input yang lebih rendah, tegangan pintu ambang yang lebih rendah, dan arus base yang lebih besar. Keduanya memiliki peran penting dalam dunia elektronika dan digunakan dalam berbagai aplikasi sesuai dengan kebutuhan pengguna. Penting untuk memahami perbedaan ini agar dapat memilih transistor yang tepat untuk desain sirkuit yang akan dibuat.
